Применение SiC MOSFET в высокочастотном силовом преобразователе с высокой удельной мощностью

Применение SiC MOSFET в высокочастотном силовом преобразователе с высокой удельной мощностью

57
0

Применение полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC) производства Wolfspeed в высокочастотном резонансном LLC‑преобразователе позволяет уменьшить на 50% массогабаритные показатели преобразователя и снизить на 30% потери мощности в магнитных компонентах. Максимальный КПД преобразователя с выходом 400 В/16 А на частоте 500 кГц при этом достигает 98.5%.

Применение SiC MOSFET в высокочастотном силовом преобразователе с высокой удельной мощностью

В статье описана работа SiC МОП-транзисторов (MOSFET) в преобразователе постоянного напряжения мощностью 6.6 кВт на частотах от 500 кГц до 1.5 МГц и приведены практические рекомендации по проектированию высокочастотного преобразователя, связанные с компоновкой печатной платы, выбором материала магнитопровода и воздушного зазора, характеристиками обмоточного провода и т.д., а также продемонстрированы результаты испытаний.

НЕТ КОММЕНТАРИЕВ

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ