Традиционно производители дискретных силовых полупроводников добиваются улучшения критических характеристик путем усовершенствования своих микросхем. Однако компания Infineon добилась впечатляющих результатов, ориентируя чип в корпусе так, чтобы сторона источника была обращена вниз. Такая схема встречается, например, в семействе МОП-транзисторов OptiMOS.
Как показали исследования Infineon, иногда можно уменьшить потери при преобразовании, просто изменив ориентацию микросхемы в корпусе.
Этот новый метод сборки МОП-транзисторов с чипом МОП-транзистора головкой вниз имеет потенциал стать промышленным стандартом в ближайшем будущем. В настоящее время эта технология реализована лишь в нескольких продуктах Infineon, включая проверенное семейство транзисторов OptiMOS.